长鑫存储完成第六代 4F² DRAM 验证：中国存储厂商领先三星、SK 海力士一步

中国最大的 DRAM 制造商长鑫存储（CXMT）已确认，其基于 4F² 单元架构的第六代 DRAM 平台已完成工程样品验证，而当前整个市场出货的仍是 6F²。如果路线图如期推进，长鑫存储可能成为全球首家将 4F² 商业化的厂商——领先于三星和 SK 海力士。

发生了什么？

在 2026 年 10 月 30 日的第三季度业绩说明会上，长鑫存储首次公开确认：其第六代 DRAM 平台采用 4F² 架构，并已完成工程样品（ES）验证，即平台的核心性能指标已在真实晶圆上达成。

完成工程验证是迈向商业化的关键一步：此后产品可进入客户验证阶段，进而走向量产。长鑫存储表示，首款 4F² 产品将是面向服务器的 DDR5 RDIMM，预计在 2026 年底前向客户送样。量产将根据客户验证进度和市场需求逐步推进。

4F² 与 6F² 有何不同？

在 DRAM 的命名中，F 是晶圆厂能印制的最小线宽。目前的 6F² 存储单元面积为 3F × 2F，而 4F² 单元仅为 2F × 2F——面积缩小约三分之一。单元更小意味着单位芯片面积内能容纳更多存储单元，即更高的存储密度。在 DRAM 价格由 AI 服务器需求主导的当下，这一点至关重要。

为实现这一目标，长鑫存储采用了垂直环绕栅极（VSG）晶体管，以及自 2019 年起自主研发的混合键合技术。公司表示，已公开 300 多个与 4F² 相关的专利族，并自成立之初便坚持这一技术方向。

三大巨头进展如何？

• 三星在 ISSCC 2026 上展示了 16Gb 4F² 原型，但据报道，其 10 纳米以下节点的量产计划要到约 2028 年。
• SK 海力士仍处于研究阶段：今年 7 月在测试阵列上验证了读写操作，并计划在 12 月的 IEDM 会议上展示更多 4F² 研究成果。
• 美光则走向了相反方向：经过 20 多年的研究，美光已放弃 4F² 的商业化。美光技术高管认为，DRAM 的实际密度由电容器所需的间距决定，4F² 以高得多的成本换来的密度收益有限；公司将继续缩小 6F²，然后直接转向 3D DRAM。

分析机构 TrendForce 同样持谨慎态度：预计 2028 年之前不会出现 4F² 的大规模商业化，短期内也不会对现货价格产生影响。

长鑫存储为何如此坚决？

更大的背景是美国对华芯片与半导体设备出口管制。被西方供应链隔离后，中国厂商被迫实现全产业链国产化——正是这种压力，为 4F² 这样的技术跃升设定了生存期限。长鑫存储已于 2026 年 7 月在上海科创板上市，获得了推动这场竞赛的新资金。

但需要清醒地看到：完成工程样品验证并不等于量产成功。长鑫存储面前还有客户验证、良率和生产成本等关口——公司自己也承认，该产品"尚不能立即转化为短期利润"。从业绩说明会上的宣布到芯片真正出货，中间可能相隔数年。

对企业和用户的意义

从长远看，多一家掌握新一代技术的 DRAM 厂商，将使全球存储供应不再过度依赖三星、SK 海力士和美光三家——这对服务器和 PC 的价格与供货稳定性都是利好。

短期内，不要因为这条消息就期待内存降价：TrendForce 认为现货价格暂不受影响，且 4F² 首批产品面向的是服务器而非普通内存。企业在采购服务器或升级内存时，仍应把经过验证的稳定性和明确的保修条款，放在尚未上市的新一代规格参数之前。

来源：Chosun Biz、SBS News、The Inference、TokenPost（长鑫存储 2026 年 10 月 30 日第三季度业绩说明会公告）。